ZVNL120G
TYPICAL CHARACTERISTICS
V GS =
V GS =
1.6
1.4
10V
8V
6V
1.0
10V
8V
6V
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
5V
4V
0.8
0.6
0.4
4V
3V
0.2
3V
0.2
0
2V
0
2V
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
0
2
4
6
8
10
V DS - Drain Source Voltage (Volts)
Output Characteristics
V DS - Drain Source Voltage (Volts)
Saturation Characteristics
1.6
1.4
V DS=
40V
500
1.2
1.0
20V
10V
400
300
V DS= 25V
0.8
0.6
0.4
0.2
200
100
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
500
400
V GS- Gate Source Voltage (Volts)
Transfer Characteristics
V GS- Gate Source Voltage (Volts)
Transconductance v gate-source voltage
100
80
300
200
100
0
V DS= 25V
60
40
20
C iss
C oss
C rss
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
0
10
20
30
40
50
I D - Drain Current (Amps )
Transconductance v drain current
3 - 421
V DS -Drain Source Voltage (Volts)
Capacitance v drain-source voltage
相关PDF资料
ZVP0545ASTOB MOSFET P-CHAN 450V TO92-3
ZVP0545GTC MOSFET P-CHAN 450V SOT223
ZVP1320FTC MOSFET P-CHAN 200V SOT23-3
ZVP2106ASTOB MOSFET P-CHAN 60V TO92-3
ZVP2106GTC MOSFET P-CHAN 60V SOT223
ZVP2110ASTOB MOSFET P-CHAN 100V TO92-3
ZVP2110GTC MOSFET P-CHAN 100V SOT223
ZVP2120ASTOB MOSFET P-CHAN 200V TO92-3
相关代理商/技术参数
ZVNL120Z 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 270MA I(D) | SOT-89
ZVNL535A 功能描述:MOSFET N-Chnl 350V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
ZVNL535AM1 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 90MA I(D) | SO
ZVNL535ASTOA 功能描述:MOSFET N-Chnl 350V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
ZVNL535ASTOB 功能描述:MOSFET N-Chnl 350V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
ZVNL535ASTZ 功能描述:MOSFET N-Chnl 350V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
ZVNL535DA 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | CHIP
ZVNL535DB 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | CHIP